首先，ct系统的设计是否紧凑是一个---的因素。 这不仅仅影响机型的大小，更重要的是它决定了x射线的利用率。众所周知，x射线（光子）会随着传播距离的增加而衰减，并且基本上遵循衰减与距离的平方成反比的规律，换言之，x射线源与探测器之间的距离越长，射线ct检测方案，x射线的利用率就越低。因此，射线ct检测机构，将ct系统设计得越紧凑越好是首要的原则之一。
面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，射线ct检测价格，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
在高能电子束转换为x射线的过程中，射线ct检测，仅有小部分能量转换为x射线，大部分能量都转换成了热，焦点尺寸越小，阳极靶上局部功率密度越大，局部温度也越高。实际应用的功率是以阳极靶可以长期工作所---受的功率密度确定的。因此，小焦点乃至微焦点的的射线源的使用功率或大电压都要比大焦点的射线源低。电子辐射发生器的共同缺点是x射线能谱的多色性，这种连续能谱的x 射线会引起衰减过程中的能谱硬化，导致各种与硬化相关的伪像。
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