面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
三代ct是单射线源，具有大扇角、宽明束、全包容被检断面的扫描方式。对应宽扇束有几个探测器，---一次分度取得八个投影计数和1值，被检物仅作m个分度旋转运动。第三代ct运动单一、好控制、，理论上被检物只需旋转一周即可检测一个断面。
四代ct也是一种大扇角全包容、只有旋转运动的扫描方式，由相当多的探测器形成固定圆环，仅由辐射源转动实现扫描。其特点是扫描速度快、成本高，仅在ct上使用，在工业ct中一般不采用。
五代ct是一种多源多探测器，用于实时检测与生产控制系统，射线ct检测，其辐射源与探测器按120°分布，工件与辐射源到探测器间不作相对转动，仅有管子沿轴向的快速分层运动。
工业ct常用的扫描方式是平移—旋转(tr)方式和只旋转(ro)方式两种。只旋转扫描方式无疑具有更高的射线利用效率，可以得到更快的成像速度；然而，平移—旋转的扫描方式的伪像水平远低于只旋转扫描方式；可以根据样品大小方便地改变扫描参数（采样数据密度和扫描范围），---是检测大尺寸样品时其---性明显；源—探测器距离可以较小，提高信号幅度；以及探测器通道少可以降低系统造价便于维护等。
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